將氧化銦錫(ITO)生長于氮化鎵基藍色發光二極管的出光臺面上(p型GaN臺面)， 用非平面化處理的方法制作出ITo井狀結構，研制出非平面化型氧化銦錫一氮化鎵基藍色發光二極管(LED)，獲得了高的出光效率。結果表明，在20 mA工作電流下，該藍色發光二極管的出光光強是平整的普通ITO—GaN基LED的1．35倍。